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太陽能硅片加工工藝流程一般經過晶體生長、切斷、外徑滾磨、平邊、切片、倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、包裝等階段。近年來光伏太陽能和半導體行業的迅速發展對硅片的切割和加工提出了更加苛刻的要求：一方面為了降低生產和加工成本，硅片向大直徑的方向發展，而硅片的厚度則逐年降低（表１可以看出硅片的厚度在逐年降低，但是２００９年硅片厚度降低２０μｍ，２０１０年只降低１０μｍ）。另一方面要求生產出的硅片具有較高的平面精度和較低的的表面粗糙度。這些要求都加大了硅片的加工難度，由于硅材料具有脆、硬等特點，直徑增大造成加工中的翹曲變形，加工精度不易保證。厚度降低、芯片厚度減薄造成了材料磨削量大、效率下降等