OTS TAR HS-200有機鍍錫工藝
一、簡介：
OTS TAR HS-200為一低泡沫性的有機酸電鍍工藝，能再高速和低俗下電鍍出沉積均勻、多邊形大晶粒純錫鍍層。
特別設計用于高速片狀式或卷帶式電鍍設備，該工藝非常適用于半導體引線框架和連接器。此工藝可以通過改變操作參數用于低速電鍍。
二、優點與特征：
*環保；*無鉛鍍層； *低應力；
*優越的焊錫性能； *低泡沫性電鍍液；
*均勻緞狀啞光外觀； *大尺寸多邊形結晶（直徑4-5微米）；
三、鍍層特性：
*結構與外觀：大結晶，緞狀—啞光
*合金比例： 100%錫
*熔點： 232°C（450°F）
四、所需材料
OTS TAR HS-200 Ⅰ# 添加劑，維持細致及均勻的鍍層；
OTS TAR HS-200 Ⅱ# 添加劑，維持低電流密度區域的覆蓋能力，補充量為每1000安培小時20-30毫升，或保持濃度在3-7 ml/L；
OTS TAR HS-200 錫濃縮液，提供錫離子，每添加3.33ml/L的錫濃縮液可以提高錫濃度1g/L；
OTS TAR HS-200 C酸液，使槽液溫度，每添加10ml/L酸液，鍍液的酸濃度會提升1%；
OTS TAR HS-200 AO濃縮液，是一種抗氧化劑，以減低二價錫的氧化。
五、設備：
電鍍缸：聚乙烯、聚丙烯、CPVC或#316L不銹鋼
加熱器：鈦、石英或外套聚四氟乙烯加熱器
篩檢程式：用1微米的聚丙烯濾芯連續過濾
陽極：裝在鈦藍或#316L不銹鋼藍中的純錫球或錫塊、純錫板
備注：陽極藍必須總是裝滿陽極，才能有效提供均勻電流分布而保持品質穩定。
六、配槽程序
1）添加去離子水于鍍槽中
2）加入OTS TAR HS-200 C酸液，攪拌均勻
3）加入OTS TAR HS-200錫濃縮液（300g/L），攪拌均勻
4）加入OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑，攪拌均勻
5）加入OTS TAR HS-200Ⅱ#添加劑，攪拌均勻
6）加入OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑，攪拌均勻
7）添加去離子水至控制液位。
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高速槽液配制
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中速槽液配制
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低速槽液配制
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藥品
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5-30安培/平方分米
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10-15安培/平方分米
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0.5-5安培/平方分米
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去離子水
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570 ml
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600 ml
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580ml
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OTS TAR HS-200錫濃縮液（300 g/LSn2+）
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217 ml
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133ml
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83ml
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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80 ml
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130ml
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235ml
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑
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100 ml
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100ml
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75ml
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加劑
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5 ml
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10ml
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4ml
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑
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10 ml
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10ml
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10ml
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添加去離子水至指定容積
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參數
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高速操
作范圍
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建議
范圍
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中速操
作范圍
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建議
范圍
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低速操
作范圍
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建議
范圍
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二價錫
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55-75 g/L
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65 g/L
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30-50 g/L
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40 g/L
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20-30 g/L
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25 g/L
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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270-300 ml/L
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285ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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50-100 ml/L
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75 ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加劑
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2-8 ml/L
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5 ml/L
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5-15 ml/L
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10 ml/L
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2-6 ml/L
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4 ml/L
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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溫度
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45-55℃
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50℃
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35-45℃
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40℃
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25-35℃
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30℃
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陰極電流密度
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5-50 A/d㎡
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按實際 而定
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10-15 A/d㎡
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按實際 而定
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0.5-5 A/d㎡
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按實際 而定
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陽極與陰極 面積比
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至少1:1
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攪拌
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陰極移動及中速鍍液回圈攪拌
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陰極效率
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95-100%
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沉積速率
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在10A/d㎡下每分鐘5.0微米
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在5A/d㎡下每分鐘2.5微米
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在1A/d㎡下每分鐘 0.5微米
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注意：
（1）OTS TAR HS-200錫濃縮液（300克/公升）（濃原液）中含有OTS TAR HS-200 C酸液，故它們亦對鍍液中OTS TAR HS-200酸液濃度構成影響。
（2）在槽液配置前，鍍槽及輔助設備均需徹底清洗，并以70-140毫升/公升的OTS TAR HS-200 C酸液作為最后之活化步驟，此步驟對新設備或曾作其他用途的設備，如氟硼酸系統，尤其重要。
附注：
1）在0.5微米厚的鎳底層上鍍OTS TAR HS-200可有效防止晶須的產生；
2）鉛雜質超過100ppm將會產生危害，隨著鉛含量的增加，高電流密度區域鍍層會變得越來越暗，對鉛污染的容忍度取決于電流密度的高低，電流密度越低，對鉛污染的容忍度越低
3）鉛污染來自于
OTS TAR HS-200有機鍍錫工藝
一、簡介：
OTS TAR HS-200為一低泡沫性的有機酸電鍍工藝，能再高速和低俗下電鍍出沉積均勻、多邊形大晶粒純錫鍍層。
特別設計用于高速片狀式或卷帶式電鍍設備，該工藝非常適用于半導體引線框架和連接器。此工藝可以通過改變操作參數用于低速電鍍。
二、優點與特征：
*環保；*無鉛鍍層； *低應力；
*優越的焊錫性能； *低泡沫性電鍍液；
*均勻緞狀啞光外觀； *大尺寸多邊形結晶（直徑4-5微米）；
三、鍍層特性：
*結構與外觀：大結晶，緞狀—啞光
*合金比例： 100%錫
*熔點： 232°C（450°F）
四、所需材料
OTS TAR HS-200 Ⅰ# 添加劑，維持細致及均勻的鍍層；
OTS TAR HS-200 Ⅱ# 添加劑，維持低電流密度區域的覆蓋能力，補充量為每1000安培小時20-30毫升，或保持濃度在3-7 ml/L；
OTS TAR HS-200 錫濃縮液，提供錫離子，每添加3.33ml/L的錫濃縮液可以提高錫濃度1g/L；
OTS TAR HS-200 C酸液，使槽液溫度，每添加10ml/L酸液，鍍液的酸濃度會提升1%；
OTS TAR HS-200 AO濃縮液，是一種抗氧化劑，以減低二價錫的氧化。
五、設備：
電鍍缸：聚乙烯、聚丙烯、CPVC或#316L不銹鋼
加熱器：鈦、石英或外套聚四氟乙烯加熱器
篩檢程式：用1微米的聚丙烯濾芯連續過濾
陽極：裝在鈦藍或#316L不銹鋼藍中的純錫球或錫塊、純錫板
備注：陽極藍必須總是裝滿陽極，才能有效提供均勻電流分布而保持品質穩定。
六、配槽程序
1）添加去離子水于鍍槽中
2）加入OTS TAR HS-200 C酸液，攪拌均勻
3）加入OTS TAR HS-200錫濃縮液（300g/L），攪拌均勻
4）加入OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑，攪拌均勻
5）加入OTS TAR HS-200Ⅱ#添加劑，攪拌均勻
6）加入OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑，攪拌均勻
7）添加去離子水至控制液位。
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高速槽液配制
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中速槽液配制
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低速槽液配制
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藥品
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5-30安培/平方分米
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10-15安培/平方分米
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0.5-5安培/平方分米
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去離子水
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570 ml
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600 ml
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580ml
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OTS TAR HS-200錫濃縮液（300 g/LSn2+）
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217 ml
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133ml
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83ml
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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80 ml
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130ml
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235ml
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑
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100 ml
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100ml
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75ml
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加劑
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5 ml
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10ml
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4ml
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑
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10 ml
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10ml
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10ml
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添加去離子水至指定容積
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參數
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高速操
作范圍
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建議
范圍
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中速操
作范圍
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建議
范圍
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低速操
作范圍
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建議
范圍
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二價錫
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55-75 g/L
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65 g/L
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30-50 g/L
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40 g/L
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20-30 g/L
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25 g/L
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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270-300 ml/L
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285ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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50-100 ml/L
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75 ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加劑
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2-8 ml/L
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5 ml/L
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5-15 ml/L
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10 ml/L
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2-6 ml/L
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4 ml/L
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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溫度
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45-55℃
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50℃
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35-45℃
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40℃
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25-35℃
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30℃
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陰極電流密度
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5-50 A/d㎡
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按實際 而定
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10-15 A/d㎡
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按實際 而定
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0.5-5 A/d㎡
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按實際 而定
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陽極與陰極 面積比
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至少1:1
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攪拌
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陰極移動及中速鍍液回圈攪拌
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陰極效率
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95-100%
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沉積速率
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在10A/d㎡下每分鐘5.0微米
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在5A/d㎡下每分鐘2.5微米
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在1A/d㎡下每分鐘 0.5微米
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注意：
（1）OTS TAR HS-200錫濃縮液（300克/公升）（濃原液）中含有OTS TAR HS-200 C酸液，故它們亦對鍍液中OTS TAR HS-200酸液濃度構成影響。
（2）在槽液配置前，鍍槽及輔助設備均需徹底清洗，并以70-140毫升/公升的OTS TAR HS-200 C酸液作為最后之活化步驟，此步驟對新設備或曾作其他用途的設備，如氟硼酸系統，尤其重要。
附注：
1）在0.5微米厚的鎳底層上鍍OTS TAR HS-200可有效防止晶須的產生；
2）鉛雜質超過100ppm將會產生危害，隨著鉛含量的增加，高電流密度區域鍍層會變得越來越暗，對鉛污染的容忍度取決于電流密度的高低，電流密度越低，對鉛污染的容忍度越低
3）鉛污染來自于鍍缸中的錫鉛殘留物（如果鍍缸以前作過他用）或陽極。
鍍缸中的錫鉛殘留物（如果鍍缸以前作過他用）或陽極。