提供各種靶材用于濺射工藝制備CIGS薄膜

一, 四元合金靶材：CIGS 靶材

  1，常規原子比：1:0.7:0.3:2  或者 1:0.8:0.2:2 （客戶亦可根據自身工藝制訂原子比例）

     技術對接：CVD合成四元合金（高精分析天平稱量，各種元素的配比公差低于百萬分之一）--氮氣保護下研磨制粉 –HP （熱壓）--檢驗—打磨，拋光。

  2，檢驗：ICP-MS；XRD  通過ICP-MS 檢測雜質含量：5N的CIGS 靶材的雜質元素總和小于10ppm

     通過XRD衍射 ：CIGS 具備閃鋅黃銅礦結構。（可提供檢驗報告和樣品）

  3，靶材致密度：大于93%

4，服務：可免費提供導電玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客戶最后的硒化工藝，因為磁控濺射CIGS的過程中有硒的流失。

  5，安全防護措施：提供MSDS及濺射過程中的必要防護。

二，三硒化二銦（In₂Se₃）靶材；三硒化而鎵（Ga₂Se₃）靶材，硒化亞銅（Cu₂Se），或硒化銅（CuSe）靶材

技術對接：CVD 合成二元合金 – HP （熱壓）--檢驗—打磨，拋光。

三，銅鎵(CuGa);銅銦(CuIn);銅鎵銦（CuGaIn）靶材

*配方原子比例：客戶可自選，我方亦可以提供常規原子比例。

四，銅（Cu）靶；銦(In)靶，硒(Se)靶

技術對接：真空熔煉；

五，CIGS 配套靶材

    N型：硫化鎘(CdS )靶,硫化鋅（ZnS）靶，硒化鋅（ZnSe）靶 。

氧化鋅鋁（AZO）靶 ,鉬（Mo）靶

1，由于硫化鎘有毒，所以硫化鋅，硒化鋅靶為其替代品。試驗表明硒化銦也有此屬性。

2，硫化鎘，硫化鋅，硒化鋅制備工藝：CVD 高純氬氣攜帶金屬蒸汽（鎘，鋅蒸汽）進入反應室與過量的H₂S,H₂Se 氣體氣相沉積而成。